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Category: FETdriveDescription: MICROCHIP TC4422CPA.. 双功率芯片, 低压侧, 4.5V-18V电源, 9A输出, 33ns延迟, DIP-82325
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Category: FETdriveDescription: MICROCHIP TC4420CPA 双功率芯片, 低压侧, 4.5V-18V电源, 6A输出, 55ns延迟, DIP-87939
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Category: FETdriveDescription: MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,半桥,Infineon Infineon 系列高电压端和低电压端半桥 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器 IC 栅极驱动电源范围从 6 V 到 20 V CMOS 施密特触发器输入 两个独立的栅极驱动器 匹配的传播延迟,用于两个通道 输出相位,带输入 无铅,符合 RoHS ### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon (International Rectifier)2319
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Category: FETdriveDescription: MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,单通道,Infineon ### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon (International Rectifier)1864
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Category: FETdriveDescription: INFINEON IR2106PBF 双路驱动器芯片, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 350mA输出, 200ns延迟, DIP-87430
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Category: FETdriveDescription: INFINEON IR2304PBF 双路驱动器, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 130mA输出, 220ns延迟, DIP-89855
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Category: FETdriveDescription: 600V Half Bridge Driver IC with typical 0.21A source and 0.36A sink currents in 8 Lead PDIP package for IGBTs and MOSFETs. Also available in 8 Lead SOIC.1792
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Category: FETdriveDescription: MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,半桥,Infineon Infineon 系列高电压端和低电压端半桥 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器 IC 栅极驱动电源范围从 6 V 到 20 V CMOS 施密特触发器输入 两个独立的栅极驱动器 匹配的传播延迟,用于两个通道 输出相位,带输入 无铅,符合 RoHS ### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon (International Rectifier)8015
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Category: FETdriveDescription: Low side MOSFET drain: 1.2A Pull: 1.2A27495+$4.833025+$4.475050+$4.2244100+$4.1170500+$4.04542500+$3.95595000+$3.920110000+$3.8664
